Dopant aktivasyonu - Dopant activation

Dopant Aktivasyonu istenen elektronik katkının alınma sürecidir. safsızlık türleri içinde yarı iletken ev sahibi.[1] Terim genellikle, katkı maddelerinin iyon implantasyonunu takiben termal enerjinin uygulanmasıyla sınırlıdır. En yaygın endüstriyel örnekte, hızlı ısıl işlem silikona fosfor, arsenik ve bor gibi katkı maddelerinin iyon implantasyonunu takiben uygulanır.[2] Yüksek sıcaklıkta (1200 ° C) oluşan boşluklar, bu türlerin geçiş reklamı -e ikame kafes siteleri amorflaştırma implantasyon sürecinden kaynaklanan hasar yeniden kristalleşir. Nispeten hızlı bir süreç olan en yüksek sıcaklık, istenmeyen kimyasalları en aza indirmek için genellikle bir saniyeden daha kısa süreyle muhafaza edilir. yayılma.[3]

Referanslar

  1. ^ Mokhberi, Ali (2003). Aktivasyon kinetiğinin altında yatan katkı maddesi-katkı maddesi ve katkı maddesi-kusur süreçleri. Stanford Üniversitesi. s. 186.
  2. ^ Pelaz; Venezia (1999). "Si'de implante B'nin aktivasyonu ve deaktivasyonu". Uygulamalı Fizik Mektupları. 75 (5): 662–664. Bibcode:1999ApPhL..75..662P. doi:10.1063/1.124474. Arşivlenen orijinal 2012-07-01 tarihinde.
  3. ^ "Yeni aktivasyon tavları, dopanların yerinde kalmasına yardımcı oluyor". Arşivlenen orijinal 2011-07-26 tarihinde. Alındı 2011-01-26.